Gå till sökfältet
Gå till sidans huvudinnehåll
Gå till tillgänglighetsredogörelsen
Forskning.fi
Menu
Suomeksi
På svenska
In English
Ingångssida
Sökning
Vetenskaps- och innovationspolitik
Vetenskaps- och forskningsnyheter
Min profil
På svenska
- 1340 results
Publikationer
1340
Utlysningar
0
Beviljade finansiering
0
Personer
0
Data
0
Infrastrukturer
0
Organisationer
0
Projekt
0
Publikationer -
1 340
sökresultat
Gå till sökresultaten
Visa som bild
Begränsa sökning
Resultaten visas 1 - 10 / 1340
10
50
100
resultat / per sida
Vilka
publikations
uppgifter finns i tjänsten?
Publikationens namn
Upphovspersoner
Publikationskanal
År
Vacancy
defects
in (Zn,Mn)O
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.spmi.2007.04.071
Tuomisto, F.; Mycielski, A.; Grasza, K.
Superlattices and Microstructures
2007
Vacancy
defects
in UV-transparent HVPE-AlN
Referentgranskad
DOI
10.1002/pssc.201300529
Kuittinen, T.; Tuomisto, F.; Kumagai, Y.; Nagashima, T.; Kinoshita, T.; Koukitu, A.; Collazo, R.; Si...
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS
2014
Vacancy
defects
in bulk ammonothermal GaN crystals
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.04.023
Tuomisto, Filip; Mäki, Jussi-Matti; Zajac, M.
Journal of Crystal Growth
2010
Vacancy
and interstitial
defects
in hafnia
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1103/PhysRevB.65.174117
Foster, A. S.; Lopez Gejo, F.; Shluger, A. L.; Nieminen, R. M.
Physical Review B
2002
Thermal stability of in-grown
vacancy
defects
in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1063/1.2180450
Tuomisto, F.; Saarinen, K.; Paskova, T.; Monemar, B.; Bockowski, M.; Suski, T.
Journal of Applied Physics
2006
Magnetically active
vacancy
related
defects
in irradiated GaN layers
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1063/1.4745776
Kilanski, L.; Tuomisto, F.; Szymczak, R.; Kruszka, R.
Applied Physics Letters
2012
On the formation of
vacancy
defects
in III-nitride semiconductors
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.031
Tuomisto, F.; Mäki, J.-M.; Rauch, C.; Makkonen, I.
Journal of Crystal Growth
2012
Positron annihilation studies on
vacancy
defects
in group IV semiconductors
Öppen tillgång
Kuitunen, Katja
Aalto-yliopiston teknillinen korkeakoulu
2010
Introduction of metastable
vacancy
defects
in electron-irradiated semi-insulating GaAs
Referentgranskad
Saarinen, K.; Kuisma, S.; Mäkinen, J.; Hautojärvi, P.; Törnqvist, M.; Corbel, C.
Physical Review B
1995
The impact of
vacancy
defects
on CNT interconnects From statistical atomistic study to circuit simulations
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.23919/SISPAD.2017.8085288
Lee, Jaehyun; Berrada, Salim; Liang, Jie; Sadi, Toufik; Georgiev, Vihar P.; Todri-Sanial, Aida; Kali...
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
2017
Vacancy
defects
in (Zn,Mn)O
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.spmi.2007.04.071
2007
Vacancy
defects
in UV-transparent HVPE-AlN
Referentgranskad
DOI
10.1002/pssc.201300529
2014
Vacancy
defects
in bulk ammonothermal GaN crystals
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2010.04.023
2010
Vacancy
and interstitial
defects
in hafnia
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1103/PhysRevB.65.174117
2002
Thermal stability of in-grown
vacancy
defects
in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1063/1.2180450
2006
Magnetically active
vacancy
related
defects
in irradiated GaN layers
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.1063/1.4745776
2012
On the formation of
vacancy
defects
in III-nitride semiconductors
Referentgranskad
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.031
2012
Positron annihilation studies on
vacancy
defects
in group IV semiconductors
Öppen tillgång
2010
Introduction of metastable
vacancy
defects
in electron-irradiated semi-insulating GaAs
Referentgranskad
1995
The impact of
vacancy
defects
on CNT interconnects From statistical atomistic study to circuit simulations
Referentgranskad
Öppen tillgång
DOI
10.23919/SISPAD.2017.8085288
2017
Föregående
1
2
3
4
5
Nästa
Resultaten visas 1 - 10 / 1340
Sida 1
Sort